Freescale Semiconductorは、GaN技術を活用した同社初のRFパワー・アンプ製品「AFG25HW355S」を発表した。携帯電話インフラストラクチャ市場をターゲットとしているが、将来的にはアビオニクス、レーダー、ISM(工業・科学・医療)、ソフトウェア無線などのアプリケーション向けに拡充される予定だという。

同社のパワー・アンプ・ソリューション・ポートフォリオは現在、12V/28V/50VシリコンLDMOS製品、5V GaAs HBT、5V/12V GaAs pHEMTソリューション、最大100GHz以上で動作する高周波SiGe技術などがあるが、同製品はこのポートフォリオに追加されるものとなる。頭皮エステサロンタッチ
350WのHiP(ハイパフォーマンス・イン・パッケージ)2:1非対称型デバイスで、2.3GHz～2.7GHzの周波数に対応し、56dBmのピーク出力、50%の効率、16dBのゲインといった性能を実現することが可能。また、将来的なGaNベース携帯電話アプリケーションとしては、歪補償性の確保、高効率(ドハティ)、高出力パルス(非線形)アプリケーション、ブロードバンドPA、スイッチモード・アンプ設定などがあるという。

なお、同製品はまもなく特定顧客向けにサンプル出荷が開始される予定で、量産開始は2013年第2四半期を予定している。